Anar al contingut
VuFind
    • English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
    • Sámegiella
    • Монгол
Avançada
  • Roles of Atomic Nitrogen/Hydro...
  • Citar
  • Enviar aquest missatge de text
  • Enviar per correu electrònic aquest
  • Imprimir
  • Exportar registre
    • Exportar a RefWorks
    • Exportar a EndNoteWeb
    • Exportar a EndNote
  • Enllaç permanent
Roles of Atomic Nitrogen/Hydrogen in GaN Film Growth by Chemically Assisted Sputtering with Dual Plasma Sources

Roles of Atomic Nitrogen/Hydrogen in GaN Film Growth by Chemically Assisted Sputtering with Dual Plasma Sources

Dades bibliogràfiques
Autors principals: Atsushi Tanide, Shohei Nakamura, Akira Horikoshi, Shigeru Takatsuji, Takahiro Kimura, Kazuo Kinose, Soichi Nadahara, Masazumi Nishikawa, Akinori Ebe, Kenji Ishikawa, Osamu Oda, Masaru Hori
Format: Article
Idioma:English
Publicat: American Chemical Society 2020-10-01
Col·lecció:ACS Omega
Accés en línia:https://doi.org/10.1021/acsomega.0c03865
  • Fons
  • Descripció
  • Ítems similars
  • Visualització del personal
Descripció
ISSN:2470-1343

Ítems similars

  • Epitaxial growth of high-quality GaN with a high growth rate at low temperatures by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition
    per: Arun Kumar Dhasiyan, et al.
    Publicat: (2024-05-01)
  • Author Correction: Epitaxial growth of high-quality GaN with a high growth rate at low temperatures by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition
    per: Arun Kumar Dhasiyan, et al.
    Publicat: (2024-12-01)
  • Effect of N2/H2 plasma on GaN substrate cleaning for homoepitaxial GaN growth by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD)
    per: Frank Wilson Amalraj, et al.
    Publicat: (2018-11-01)
  • Photoluminescence recovery by in-situ exposure of plasma-damaged n-GaN to atomic hydrogen at room temperature
    per: Shang Chen, et al.
    Publicat: (2012-06-01)
  • Study of sputtered tin schottky barrier diode for Gan-hemt applications
    per: Li, Kang
    Publicat: (2016)

Opcions de cerca

  • Historial de cerca
  • Cerca avançada

Trobar-ne més

  • Explorar el catàleg
  • Explorar alfabèticament
  • Explora canals
  • Bibliografia recomanada
  • Nous ítems

Necessites ajuda?

  • Consells de cerca
  • Pregunteu al bibliotecari
  • FAQs