Přeskočit na obsah
VuFind
    • English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
    • Sámegiella
    • Монгол
Pokročilé
  • Roles of Atomic Nitrogen/Hydro...
  • Vytvořit citaci
  • Zaslat SMS
  • Poslat e-mailem
  • Vytisknout
  • Exportovat záznam
    • Exportovat do RefWorks
    • Exportovat do EndNoteWeb
    • Exportovat do EndNote
  • Trvalý odkaz
Roles of Atomic Nitrogen/Hydrogen in GaN Film Growth by Chemically Assisted Sputtering with Dual Plasma Sources

Roles of Atomic Nitrogen/Hydrogen in GaN Film Growth by Chemically Assisted Sputtering with Dual Plasma Sources

Podrobná bibliografie
Hlavní autoři: Atsushi Tanide, Shohei Nakamura, Akira Horikoshi, Shigeru Takatsuji, Takahiro Kimura, Kazuo Kinose, Soichi Nadahara, Masazumi Nishikawa, Akinori Ebe, Kenji Ishikawa, Osamu Oda, Masaru Hori
Médium: Článek
Jazyk:English
Vydáno: American Chemical Society 2020-10-01
Edice:ACS Omega
On-line přístup:https://doi.org/10.1021/acsomega.0c03865
  • Jednotky
  • Popis
  • Podobné jednotky
  • UNIMARC/MARC
Popis
ISSN:2470-1343

Podobné jednotky

  • Epitaxial growth of high-quality GaN with a high growth rate at low temperatures by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition
    Autor: Arun Kumar Dhasiyan, a další
    Vydáno: (2024-05-01)
  • Author Correction: Epitaxial growth of high-quality GaN with a high growth rate at low temperatures by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition
    Autor: Arun Kumar Dhasiyan, a další
    Vydáno: (2024-12-01)
  • Effect of N2/H2 plasma on GaN substrate cleaning for homoepitaxial GaN growth by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD)
    Autor: Frank Wilson Amalraj, a další
    Vydáno: (2018-11-01)
  • Photoluminescence recovery by in-situ exposure of plasma-damaged n-GaN to atomic hydrogen at room temperature
    Autor: Shang Chen, a další
    Vydáno: (2012-06-01)
  • Study of sputtered tin schottky barrier diode for Gan-hemt applications
    Autor: Li, Kang
    Vydáno: (2016)

Možnosti vyhledávání

  • Historie vyhledávání
  • Pokročilé vyhledávání

Objevte více

  • Procházení katalogu
  • Abecední procházení
  • Grafické procházení katalogu
  • Rezervace kurzů
  • Nové tituly v katalogu

Hledáte pomoc?

  • Tipy pro vyhledávání
  • Zeptejte se knihovníka
  • Často kladené otázky