Roles of Atomic Nitrogen/Hydrogen in GaN Film Growth by Chemically Assisted Sputtering with Dual Plasma Sources
Հիմնական հեղինակներ: | Atsushi Tanide, Shohei Nakamura, Akira Horikoshi, Shigeru Takatsuji, Takahiro Kimura, Kazuo Kinose, Soichi Nadahara, Masazumi Nishikawa, Akinori Ebe, Kenji Ishikawa, Osamu Oda, Masaru Hori |
---|---|
Ձևաչափ: | Հոդված |
Լեզու: | English |
Հրապարակվել է: |
American Chemical Society
2020-10-01
|
Շարք: | ACS Omega |
Առցանց հասանելիություն: | https://doi.org/10.1021/acsomega.0c03865 |
Նմանատիպ նյութեր
-
Epitaxial growth of high-quality GaN with a high growth rate at low temperatures by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition
: Arun Kumar Dhasiyan, և այլն
Հրապարակվել է: (2024-05-01) -
Author Correction: Epitaxial growth of high-quality GaN with a high growth rate at low temperatures by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition
: Arun Kumar Dhasiyan, և այլն
Հրապարակվել է: (2024-12-01) -
Effect of N2/H2 plasma on GaN substrate cleaning for homoepitaxial GaN growth by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD)
: Frank Wilson Amalraj, և այլն
Հրապարակվել է: (2018-11-01) -
Photoluminescence recovery by in-situ exposure of plasma-damaged n-GaN to atomic hydrogen at room temperature
: Shang Chen, և այլն
Հրապարակվել է: (2012-06-01) -
Study of sputtered tin schottky barrier diode for Gan-hemt applications
: Li, Kang
Հրապարակվել է: (2016)