Przejdź do treści
VuFind
    • English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
    • Sámegiella
    • Монгол
Wyszukiwanie zaawansowane
  • Roles of Atomic Nitrogen/Hydro...
  • Cytować
  • Wyślij wiadomość
  • Wyślij emailem
  • Drukuj
  • Eksportuj rekord
    • Eksportuj do RefWorks
    • Eksportuj do EndNoteWeb
    • Eksportuj do EndNote
  • Odnośnik bezpośredni
Roles of Atomic Nitrogen/Hydrogen in GaN Film Growth by Chemically Assisted Sputtering with Dual Plasma Sources

Roles of Atomic Nitrogen/Hydrogen in GaN Film Growth by Chemically Assisted Sputtering with Dual Plasma Sources

Opis bibliograficzny
Główni autorzy: Atsushi Tanide, Shohei Nakamura, Akira Horikoshi, Shigeru Takatsuji, Takahiro Kimura, Kazuo Kinose, Soichi Nadahara, Masazumi Nishikawa, Akinori Ebe, Kenji Ishikawa, Osamu Oda, Masaru Hori
Format: Artykuł
Język:English
Wydane: American Chemical Society 2020-10-01
Seria:ACS Omega
Dostęp online:https://doi.org/10.1021/acsomega.0c03865
  • Egzemplarz
  • Opis
  • Podobne zapisy
  • Wersja MARC

Internet

https://doi.org/10.1021/acsomega.0c03865

Podobne zapisy

  • Epitaxial growth of high-quality GaN with a high growth rate at low temperatures by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition
    od: Arun Kumar Dhasiyan, i wsp.
    Wydane: (2024-05-01)
  • Author Correction: Epitaxial growth of high-quality GaN with a high growth rate at low temperatures by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition
    od: Arun Kumar Dhasiyan, i wsp.
    Wydane: (2024-12-01)
  • Effect of N2/H2 plasma on GaN substrate cleaning for homoepitaxial GaN growth by radical-enhanced metalorganic chemical vapor deposition (REMOCVD)
    od: Frank Wilson Amalraj, i wsp.
    Wydane: (2018-11-01)
  • Photoluminescence recovery by in-situ exposure of plasma-damaged n-GaN to atomic hydrogen at room temperature
    od: Shang Chen, i wsp.
    Wydane: (2012-06-01)
  • Study of sputtered tin schottky barrier diode for Gan-hemt applications
    od: Li, Kang
    Wydane: (2016)

Opcje wyszukiwania

  • Historia wyszukiwania
  • Wyszukiwanie zaawansowane

Dalsze opcje

  • Przeglądaj katalog
  • Przeglądaj alfabetycznie
  • Przeglądaj kanały
  • Aparaty semestralne
  • Nowe nabytki

Pomoc

  • Wskazówka do wyszukiwania
  • Zapytaj bibliotekarza
  • Często zadawane pytania