بررسی ساختار الکترونی، خواص مغناطیسی و اپتیکی ترکیب تمامهویسلر Cr2ScSb
بر پایه نظریه تابعی چگالی، خواص الکترونی، مغناطیسی و اپتیکی ترکیب تمامهویسلر Cr2ScSb مورد بررسی قرار گرفته است. این ترکیب در ثابت شبکه تعادلی برای منحنی چگالی حالتها یک گاف نیمفلزی به اندازه 07/0 الکترونولت دارد اما در ساختار نواری گاف انرژی مشاهده نمیشود. این ترکیب در حالت فرومغناطیس پایدار می...
Main Author: | |
---|---|
Format: | Article |
Language: | fas |
Published: |
Payame Noor University
2021-08-01
|
Series: | اپتوالکترونیک |
Subjects: | |
Online Access: | https://jphys.journals.pnu.ac.ir/article_7204_32eb80ea04bdb0382f5a410e52f3c7b1.pdf |