Analiza poluprovodničkih kvantnih generatora tipa A3B5 po nano nivoima / Analysis of semiconductor quantum generators of A3B5 type at nano levels / Наноуровневый анализ полупроводниковых квантовых генераторов типа A3B5
U članku se obrazlaže formiranje klasterne rešetkaste strukture poluprovodničkog kristala tipa A3B5. Predstavljen je način deformacije elektronskih opni atoma koji su u sastavu elemenata poluprovodničke kristalne strukture. Na primeru kristala iz jedinjenja indijuma i elemenata pete grupe Mendeljeje...
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
University of Defence in Belgrade
2015-04-01
|
| Series: | Vojnotehnički Glasnik |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://aseestant.ceon.rs/index.php/vtg/article/view/7180 |