Analiza poluprovodničkih kvantnih generatora tipa A3B5 po nano nivoima / Analysis of semiconductor quantum generators of A3B5 type at nano levels / Наноуровневый анализ полупроводниковых квантовых генераторов типа A3B5

U članku se obrazlaže formiranje klasterne rešetkaste strukture poluprovodničkog kristala tipa A3B5. Predstavljen je način deformacije elektronskih opni atoma koji su u sastavu elemenata poluprovodničke kristalne strukture. Na primeru kristala iz jedinjenja indijuma i elemenata pete grupe Mendeljeje...

Full description

Bibliographic Details
Main Author: Leonid I. Grečihin
Format: Article
Language:English
Published: University of Defence in Belgrade 2015-04-01
Series:Vojnotehnički Glasnik
Subjects:
Online Access:http://aseestant.ceon.rs/index.php/vtg/article/view/7180
Description
Summary:U članku se obrazlaže formiranje klasterne rešetkaste strukture poluprovodničkog kristala tipa A3B5. Predstavljen je način deformacije elektronskih opni atoma koji su u sastavu elemenata poluprovodničke kristalne strukture. Na primeru kristala iz jedinjenja indijuma i elemenata pete grupe Mendeljejeve tablice, utvrđeno je među kakvim energetskim nivoima dolazi do generisanja poluprovodničkog kvantnog generatora. Definisani su tehnološki uslovi za izradnju lasera tipa A3B5. / The article describes the formation of the cluster grid structure of semiconductor crystals of A3B5 type. The deformation of the electron shells of the atoms in semiconductor crystal structure elements has been presented. Crystals of the Indium compounds and the elements from Group 5 of the Mendeleev periodic table have been used to show the energy levels where a semiconductor quantum generator is generated. The technological conditions for an A3B5 type laser realisation have been defined. / Обосновано образование кластерной решеточной структуры полупроводниковых кристаллов типа А3В5. Показано, каким образом происходит деформация электронных оболочек атомов составных элементов полупроводниковой кристаллической структуры. На примере кристаллов из соединений индия с элементами пятой группы таблицы Менделеева установлено, между какими энергетическими уровнями реализуется генерация полу- проводникового квантового генератора. Сформулированы тре бования к технологии изготовления лазеров на основе А3В5.
ISSN:0042-8469
2217-4753