Analiza poluprovodničkih kvantnih generatora tipa A3B5 po nano nivoima / Analysis of semiconductor quantum generators of A3B5 type at nano levels / Наноуровневый анализ полупроводниковых квантовых генераторов типа A3B5
U članku se obrazlaže formiranje klasterne rešetkaste strukture poluprovodničkog kristala tipa A3B5. Predstavljen je način deformacije elektronskih opni atoma koji su u sastavu elemenata poluprovodničke kristalne strukture. Na primeru kristala iz jedinjenja indijuma i elemenata pete grupe Mendeljeje...
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
University of Defence in Belgrade
2015-04-01
|
| Series: | Vojnotehnički Glasnik |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://aseestant.ceon.rs/index.php/vtg/article/view/7180 |
| _version_ | 1798029224390426624 |
|---|---|
| author | Leonid I. Grečihin |
| author_facet | Leonid I. Grečihin |
| author_sort | Leonid I. Grečihin |
| collection | DOAJ |
| description | U članku se obrazlaže formiranje klasterne rešetkaste strukture poluprovodničkog kristala tipa A3B5. Predstavljen je način deformacije elektronskih opni atoma koji su u sastavu elemenata poluprovodničke kristalne strukture. Na primeru kristala iz jedinjenja indijuma i elemenata pete grupe Mendeljejeve tablice, utvrđeno je među kakvim energetskim nivoima dolazi do generisanja poluprovodničkog kvantnog generatora. Definisani su tehnološki uslovi za izradnju lasera tipa A3B5. / The article describes the formation of the cluster grid structure of semiconductor crystals of A3B5 type. The deformation of the electron shells of the atoms in semiconductor crystal structure elements has been presented. Crystals of the Indium compounds and the elements from Group 5 of the Mendeleev periodic table have been used to show the energy levels where a semiconductor quantum generator is generated. The technological conditions for an A3B5 type laser realisation have been defined. / Обосновано образование кластерной решеточной структуры полупроводниковых кристаллов типа А3В5. Показано, каким образом происходит деформация электронных оболочек атомов составных элементов полупроводниковой кристаллической структуры. На примере кристаллов из соединений индия с элементами пятой группы таблицы Менделеева установлено, между какими энергетическими уровнями реализуется генерация полу-
проводникового квантового генератора. Сформулированы тре
бования к технологии изготовления лазеров на основе А3В5. |
| first_indexed | 2024-04-11T19:21:51Z |
| format | Article |
| id | doaj.art-29deef8887d047b7a4032dfa12427fd8 |
| institution | Directory Open Access Journal |
| issn | 0042-8469 2217-4753 |
| language | English |
| last_indexed | 2024-04-11T19:21:51Z |
| publishDate | 2015-04-01 |
| publisher | University of Defence in Belgrade |
| record_format | Article |
| series | Vojnotehnički Glasnik |
| spelling | doaj.art-29deef8887d047b7a4032dfa12427fd82022-12-22T04:07:17ZengUniversity of Defence in BelgradeVojnotehnički Glasnik0042-84692217-47532015-04-0163200902910.5937/vojtehg63-7180 Analiza poluprovodničkih kvantnih generatora tipa A3B5 po nano nivoima / Analysis of semiconductor quantum generators of A3B5 type at nano levels / Наноуровневый анализ полупроводниковых квантовых генераторов типа A3B5Leonid I. Grečihin 0Beloruska državna vazduhoplovna akademija, Minsk, Republika BelorusijaU članku se obrazlaže formiranje klasterne rešetkaste strukture poluprovodničkog kristala tipa A3B5. Predstavljen je način deformacije elektronskih opni atoma koji su u sastavu elemenata poluprovodničke kristalne strukture. Na primeru kristala iz jedinjenja indijuma i elemenata pete grupe Mendeljejeve tablice, utvrđeno je među kakvim energetskim nivoima dolazi do generisanja poluprovodničkog kvantnog generatora. Definisani su tehnološki uslovi za izradnju lasera tipa A3B5. / The article describes the formation of the cluster grid structure of semiconductor crystals of A3B5 type. The deformation of the electron shells of the atoms in semiconductor crystal structure elements has been presented. Crystals of the Indium compounds and the elements from Group 5 of the Mendeleev periodic table have been used to show the energy levels where a semiconductor quantum generator is generated. The technological conditions for an A3B5 type laser realisation have been defined. / Обосновано образование кластерной решеточной структуры полупроводниковых кристаллов типа А3В5. Показано, каким образом происходит деформация электронных оболочек атомов составных элементов полупроводниковой кристаллической структуры. На примере кристаллов из соединений индия с элементами пятой группы таблицы Менделеева установлено, между какими энергетическими уровнями реализуется генерация полу- проводникового квантового генератора. Сформулированы тре бования к технологии изготовления лазеров на основе А3В5.http://aseestant.ceon.rs/index.php/vtg/article/view/7180poluprovodnički lasernanoklasterni nivogenerisanjesemiconductor lasernanocluster levelgenerationполупроводниковый лазернанокластерный уро- веньнанокластерный уровеньгенерация |
| spellingShingle | Leonid I. Grečihin Analiza poluprovodničkih kvantnih generatora tipa A3B5 po nano nivoima / Analysis of semiconductor quantum generators of A3B5 type at nano levels / Наноуровневый анализ полупроводниковых квантовых генераторов типа A3B5 Vojnotehnički Glasnik poluprovodnički laser nanoklasterni nivo generisanje semiconductor laser nanocluster level generation полупроводниковый лазер нанокластерный уро- вень нанокластерный уровень генерация |
| title | Analiza poluprovodničkih kvantnih generatora tipa A3B5 po nano nivoima / Analysis of semiconductor quantum generators of A3B5 type at nano levels / Наноуровневый анализ полупроводниковых квантовых генераторов типа A3B5 |
| title_full | Analiza poluprovodničkih kvantnih generatora tipa A3B5 po nano nivoima / Analysis of semiconductor quantum generators of A3B5 type at nano levels / Наноуровневый анализ полупроводниковых квантовых генераторов типа A3B5 |
| title_fullStr | Analiza poluprovodničkih kvantnih generatora tipa A3B5 po nano nivoima / Analysis of semiconductor quantum generators of A3B5 type at nano levels / Наноуровневый анализ полупроводниковых квантовых генераторов типа A3B5 |
| title_full_unstemmed | Analiza poluprovodničkih kvantnih generatora tipa A3B5 po nano nivoima / Analysis of semiconductor quantum generators of A3B5 type at nano levels / Наноуровневый анализ полупроводниковых квантовых генераторов типа A3B5 |
| title_short | Analiza poluprovodničkih kvantnih generatora tipa A3B5 po nano nivoima / Analysis of semiconductor quantum generators of A3B5 type at nano levels / Наноуровневый анализ полупроводниковых квантовых генераторов типа A3B5 |
| title_sort | analiza poluprovodnickih kvantnih generatora tipa a3b5 po nano nivoima analysis of semiconductor quantum generators of a3b5 type at nano levels наноуровневый анализ полупроводниковых квантовых генераторов типа a3b5 |
| topic | poluprovodnički laser nanoklasterni nivo generisanje semiconductor laser nanocluster level generation полупроводниковый лазер нанокластерный уро- вень нанокластерный уровень генерация |
| url | http://aseestant.ceon.rs/index.php/vtg/article/view/7180 |
| work_keys_str_mv | AT leonidigrecihin analizapoluprovodnickihkvantnihgeneratoratipaa3b5ponanonivoimaanalysisofsemiconductorquantumgeneratorsofa3b5typeatnanolevelsnanourovnevyjanalizpoluprovodnikovyhkvantovyhgeneratorovtipaa3b5 |