InGaAsP/InP多薄层异质结构材料的晶格驰豫和晶体质量蜕化研究
介绍应变量子阱材料的稳定性理论——能量平衡模型；报告几个典型的与晶体质量蜕化有关的光荧光谱；计算几种常用应变多量子阱结构材料的临界弹性应变量；指出非应变盖层可提高阱层临界应变量；初步讨论实际可允许应变量与理论计算应变量之间差异的可能根源...
| Main Author: | |
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| Format: | Article |
| Language: | zho |
| Published: |
《光通信研究》编辑部
1999-01-01
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| Series: | Guangtongxin yanjiu |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.gtxyj.com.cn/thesisDetails#10.13756/j.gtxyj.1999.04.015 |