Electrode-stress-induced nanoscale disorder in Si quantum electronic devices

Electrode-stress-induced nanoscale disorder in Si quantum electronic devices

Disorder in the potential-energy landscape presents a major obstacle to the more rapid development of semiconductor quantum device technologies. We report a large-magnitude source of disorder, beyond commonly considered unintentional background doping or fixed charge in oxide layers: nanoscale strai...

সম্পূর্ণ বিবরণ

গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক: J. Park, Y. Ahn, J. A. Tilka, K. C. Sampson, D. E. Savage, J. R. Prance, C. B. Simmons, M. G. Lagally, S. N. Coppersmith, M. A. Eriksson, M. V. Holt, P. G. Evans
বিন্যাস: প্রবন্ধ
ভাষা:English
প্রকাশিত: AIP Publishing LLC 2016-06-01
মালা:APL Materials
অনলাইন ব্যবহার করুন:http://dx.doi.org/10.1063/1.4954054

আন্তর্জাল

http://dx.doi.org/10.1063/1.4954054

অনুরূপ উপাদানগুলি