Direct probing of semiconductor barium titanate via electrostatic force microscopy Sondagem direta de titanato de bário semicondutorpor meio de microscopia de força eletrostática
Electrostatic force microscopy (EFM) was used to directly probe surface potential in doped barium titanate semiconducting ceramics. EFM measurements were performed using noncontact scans at a constant tip-sample separation of 75 nm with varied bias voltages applied to the sample. The applied voltage...
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| Published: |
Associação Brasileira de Cerâmica
2007-06-01
|
| Series: | Cerâmica |
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| author | S. M. Gheno H. L. Hasegawa P. I. Paulin Filho |
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| description | Electrostatic force microscopy (EFM) was used to directly probe surface potential in doped barium titanate semiconducting ceramics. EFM measurements were performed using noncontact scans at a constant tip-sample separation of 75 nm with varied bias voltages applied to the sample. The applied voltage was mapped up to 10 V and the distribution of potential across the sample showed changes in regions that matched the grain boundaries, displaying a constant barrier width of 145.2 nm.<br>A microscopia de força eletrostática (EFM) foi usada para sondagem direta do potencial na superfície do titanato de bário dopado, o qual é cerâmica semicondutora. As medidas de EFM foram realizadas no modo não contato, mantendo a distância ponta-amostra de 75 nm constante, mas variando a voltagem bias aplicada à amostra de zero a 10 V. A distribuição do potencial na amostra mostrou mudanças em regiões próximas ao contorno de grão, exibindo largura de barreira constante de 145,2 nm. |
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| publishDate | 2007-06-01 |
| publisher | Associação Brasileira de Cerâmica |
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