Hoppa till innehåll
VuFind
    • English
    • Deutsch
    • Español
    • Français
    • Italiano
    • 日本語
    • Nederlands
    • Português
    • Português (Brasil)
    • 中文(简体)
    • 中文(繁體)
    • Türkçe
    • עברית
    • Gaeilge
    • Cymraeg
    • Ελληνικά
    • Català
    • Euskara
    • Русский
    • Čeština
    • Suomi
    • Svenska
    • polski
    • Dansk
    • slovenščina
    • اللغة العربية
    • বাংলা
    • Galego
    • Tiếng Việt
    • Hrvatski
    • हिंदी
    • Հայերէն
    • Українська
    • Sámegiella
    • Монгол
Avancerad
  • Influence of point defects on...
  • Hänvisa
  • Textmeddelande
  • Skicka per e-post
  • Skriv ut
  • Exportera posten
    • Exportera till: RefWorks
    • Exportera till: EndNoteWeb
    • Exportera till: EndNote
  • Permanent länk
Influence of point defects on the structural and electronic properties of SiC nanotubes

Influence of point defects on the structural and electronic properties of SiC nanotubes

Bibliografiska uppgifter
Huvudupphovsmän: Chigo Anota E., Cocoletzi Gregorio
Materialtyp: Artikel
Språk:English
Publicerad: De Gruyter 2014-01-01
Serie:Open Chemistry
Ämnen:
silicon carbide nanotubes
hydroxyl
point defects
dft theory
solvation
Länkar:https://doi.org/10.2478/s11532-013-0357-6
  • Beståndsuppgifter
  • Beskrivning
  • Liknande verk
  • Katalogiseringsuppgifter

Internet

https://doi.org/10.2478/s11532-013-0357-6

Liknande verk

  • Oxygen-related defects in 4H-SiC from first principles
    av: Sosuke Iwamoto, et al.
    Publicerad: (2024-01-01)
  • Armchair Boron Nitride nanotubes—heterocyclic molecules interactions: A computational description
    av: Anota Ernesto Chigo, et al.
    Publicerad: (2015-02-01)
  • Electron Radiation Effects on the 4H-SiC PiN Diodes Characteristics: An Insight From Point Defects to Electrical Degradation
    av: Peng Dong, et al.
    Publicerad: (2019-01-01)
  • Multiple-Layer Triangular Defects in 4H-SiC Homoepitaxial Films Grown by Chemical Vapor Deposition
    av: Yicheng Pei, et al.
    Publicerad: (2023-07-01)
  • Depth Profile Analysis of Deep Level Defects in 4H-SiC Introduced by Radiation
    av: Tomislav Brodar, et al.
    Publicerad: (2020-09-01)

Sökalternativ

  • Sökhistorik
  • Avancerad sökning

Sök mera

  • Bläddra i katalogen
  • Bläddra alfabetiskt
  • Utforska kanaler
  • Kursböcker
  • Nytt i katalogen

Behöver du hjälp?

  • Söktips
  • Fråga biblioteket
  • Vanliga frågor