Аналіз спектральної характеристики чутливості дифузійних <i>p-i-n</i> фотодіодів на основі високоомного <i>р</i>-Si
Зважаючи на потребу ринку в високочутливих кремнієвих p-i-n фотодіодах (ФД) для детектування випромінювання YAG-лазера (довжина хвилі 1,064 мкм), вирішено дослідити методи збільшення їх чутливості, зокрема зміщення максимуму спектральної характеристики чутливості фотоприймача в сторону більших довж...
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Igor Sikorsky Kyiv Polytechnic Institute
2023-03-01
|
| Series: | Mìkrosistemi, Elektronìka ta Akustika |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://elc.kpi.ua/article/view/275010 |