Transistor por efeito de campo e fotocondutor de poli(o-metoxianilina).
RESUMO: Esse artigo apresenta resultados sobre fabricação e caracterização de um transistor por efeito de campo (FET) tendo a poli(o-metoxianilina) - POMA - como material ativo. Uma adaptação de processos de microeletrônica tradicional foi feita para a confecção desse dispositivo. O FET desenvolvido...
| Main Authors: | , , |
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| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Associação Brasileira de Polímeros
1998-03-01
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| Series: | Polímeros |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.scielo.br/scielo.php?script=sci_arttext&pid=S0104-14281998000100006 |