Caracterización de aleaciones semiconductoras por espectroscopia Raman
El efecto del desorden estructural en el esparcimiento Raman de los modos acoplados plasmón - fonón LO, fue estudiado en aleaciones AlxGa1-xAs dopadas con Silicio. Las asimetrías de las líneas Raman nos permitió la observación de estos modos debido a que la simetría traslacional del cristal fue dest...
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Instituto de Investigación de Física
2009-12-01
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| Series: | Revista de Investigación de Física |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://revistasinvestigacion.unmsm.edu.pe/index.php/fisica/article/view/8710 |