Modellierung von Quanteneffekten in einem ladungsbasierten MOS-Transistor-Modell zur Simulation von nanoskalierten CMOS-Analogschaltungen
Aufgrund der fortschreitenden Miniaturisierung der Bauelemente in CMOS-Schaltungen und den dadurch erreichten Strukturgrößen nehmen quantenmechanische Effekte zunehmenden Einfluss auf die Funktion von Transistoren und damit auf die gesamte Schaltung. Unter Einbeziehung der Energiequantisierung an de...
| Main Authors: | , , |
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| Formato: | Artigo |
| Idioma: | deu |
| Publicado em: |
Copernicus Publications
2009-05-01
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| Colecção: | Advances in Radio Science |
| Acesso em linha: | http://www.adv-radio-sci.net/7/185/2009/ars-7-185-2009.pdf |