Integrated SiGe Detectors for Si Photonic Sensor Platforms
In this work, we present the results of integrated Ge detectors grown on a Si photonic platform for sensing applications. The detectors are fabricated on a passive photonic circuit for maximum coupling efficiency. Measurement results at 1300 nm wavelength show a responsivity of 0.2 A/W and very low...
প্রধান লেখক: | Grégory Pandraud, Silvana Milosavljevic, Amir Sammak, Matteo Cherchi, Aleksandar Jovic, Pasqualina Sarro |
---|---|
বিন্যাস: | প্রবন্ধ |
ভাষা: | English |
প্রকাশিত: |
MDPI AG
2017-08-01
|
মালা: | Proceedings |
বিষয়গুলি: | |
অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://www.mdpi.com/2504-3900/1/4/559 |
অনুরূপ উপাদানগুলি
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
SiGe field effect transistors
অনুযায়ী: Terrence E. Whall, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2001-03-01) -
CVD growth of high speed SiGe HBTs using SiH4
অনুযায়ী: Henry H. Radamson, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2000-12-01) -
Si and SiGe Nanowire for Micro-Thermoelectric Generator: A Review of the Current State of the Art
অনুযায়ী: You Li, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2021-03-01) -
SiGe-On-Insulator (SGOI) Technology and MOSFET Fabrication
অনুযায়ী: Cheng, Zhiyuan, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2003) -
MOSFET Channel Engineering using Strained Si, SiGe, and Ge Channels
অনুযায়ী: Fitzgerald, Eugene A., অন্যান্য
প্রকাশিত: (2003)