Integrated SiGe Detectors for Si Photonic Sensor Platforms
In this work, we present the results of integrated Ge detectors grown on a Si photonic platform for sensing applications. The detectors are fabricated on a passive photonic circuit for maximum coupling efficiency. Measurement results at 1300 nm wavelength show a responsivity of 0.2 A/W and very low...
Հիմնական հեղինակներ: | Grégory Pandraud, Silvana Milosavljevic, Amir Sammak, Matteo Cherchi, Aleksandar Jovic, Pasqualina Sarro |
---|---|
Ձևաչափ: | Հոդված |
Լեզու: | English |
Հրապարակվել է: |
MDPI AG
2017-08-01
|
Շարք: | Proceedings |
Խորագրեր: | |
Առցանց հասանելիություն: | https://www.mdpi.com/2504-3900/1/4/559 |
Նմանատիպ նյութեր
-
SiGe field effect transistors
: Terrence E. Whall, և այլն
Հրապարակվել է: (2001-03-01) -
CVD growth of high speed SiGe HBTs using SiH4
: Henry H. Radamson, և այլն
Հրապարակվել է: (2000-12-01) -
Si and SiGe Nanowire for Micro-Thermoelectric Generator: A Review of the Current State of the Art
: You Li, և այլն
Հրապարակվել է: (2021-03-01) -
SiGe-On-Insulator (SGOI) Technology and MOSFET Fabrication
: Cheng, Zhiyuan, և այլն
Հրապարակվել է: (2003) -
MOSFET Channel Engineering using Strained Si, SiGe, and Ge Channels
: Fitzgerald, Eugene A., և այլն
Հրապարակվել է: (2003)