Diagnostics of deep centers on the border of film–substrate in thin-film all-epitaxial structures of GaAs
A simple method for the determination of the concentration of vacant deep traps in the vicinity of the «film — substrate» interface is proposed. The method is based on determining the increase in the width of the conducting channel under extrinsic illumination from the shift of the inflection point...
| Những tác giả chính: | , , |
|---|---|
| Định dạng: | Bài viết |
| Ngôn ngữ: | English |
| Được phát hành: |
Politehperiodika
2010-08-01
|
| Loạt: | Tekhnologiya i Konstruirovanie v Elektronnoi Apparature |
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | http://www.tkea.com.ua/tkea/2010/4_2010/pdf/10.zip |