Siirry sisältöön
VuFind
English
Deutsch
Español
Français
Italiano
日本語
Nederlands
Português
Português (Brasil)
中文(简体)
中文（繁體）
Türkçe
עברית
Gaeilge
Cymraeg
Ελληνικά
Català
Euskara
Русский
Čeština
Suomi
Svenska
polski
Dansk
slovenščina
اللغة العربية
বাংলা
Galego
Tiếng Việt
Hrvatski
हिंदी
Հայերէն
Українська
Sámegiella
Монгол
Kieli
Kaikki kentät
Nimeke
Tekijä
Aihe
Hyllypaikka
ISBN/ISSN
Tagi
Hae
Tarkennettu
Spin relaxation induced by int...
Tekstiviesti
Tekstiviesti:
Spin relaxation induced by interfacial effects in GaN/Al0.25Ga0.75N heterostructures
Numero:
Tuottaja:
Valitse operaattori
Alltel
AT&T
Cricket
Nextel
Sprint
T Mobile
Verizon
Virgin Mobile