Au/P3HT:PCBM/n-Si Schottky Bariyer Diyotlarda PCBM Konsantrasyonunun Kapasitans-Voltaj (C-V) ve İletkenlik-Voltaj (G/w-V) Karakteristiklerine Etkisi ve Dielektrik Özelliklerin İncelemesi
Bu çalışmada, farklı P3HT:PCBM katkı oranları (4:1 ve 10:1) kullanılarak hazırlanan altın/poly(3-hexylthiophene):[6,6]-phenyl C61 butyric acid methyl ester/n-tipi silisyum (Au/P3HT:PCBM/n-Si) metal–polimer–yarıiletken (MPY) Schottky bariyer diyotların (SBD) kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-volt...
| Váldodahkkit: | , , , |
|---|---|
| Materiálatiipa: | Artihkal |
| Giella: | English |
| Almmustuhtton: |
Düzce University
2016-01-01
|
| Ráidu: | Düzce Üniversitesi Bilim ve Teknoloji Dergisi |
| Fáttát: | |
| Liŋkkat: | https://dergipark.org.tr/tr/download/article-file/224891 |