Modelos neurais para dispositivos ativos semicondutores de GaAs nas faixas de microondas/óptica

Neste artigo descrevem-se os conceitos básicos para a elaboração de modelos de dispositivos ativos semicondutores de arseneto de gálio (GaAs), usados em sistemas de comunicação em operação nas faixas de frequência de microondas/óptica, através de redes neurais artificiais sem realimentação (FNN'...

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Bibliographic Details
Main Authors: Paulo Henrique da Fonseca Silva, Márcio Galdino Passos, Humberto César Chaves Fernandes
Format: Article
Language:English
Published: Instituto Federal de Educação, Ciência e Tecnologia da Paraíba 2006-09-01
Series:Revista Principia
Subjects:
Online Access:https://periodicos.ifpb.edu.br/index.php/principia/article/view/298