مقاومت مغناطیسی تنظیم‌پذیر در پیوندگاه گرافین گاف‌دار تحت کشش در حضور سد مغناطیسی
در تحقیق حاضر با اعمال هم‌زمان کشش و سد مغناطیسی به گرافین گاف‌دار که بین دو الکترود فرومغناطیسی قرار گرفته است ضریب عبور و رسانش پیوندگاه بررسی شده و شرایط رسیدن به بیشینه مقاومت مغناطیسی مهیا شده است. نتایج نشان می‌دهند اعمال کشش به تنهایی منجر به ایجاد گاف دره‌ای در ساختار گرافین نمی‌شود و این گا...
| Main Author: | |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | fas |
| Published: |
Shahid Chamran University of Ahvaz
2019-02-01
|
| Series: | پژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://jrmbs.scu.ac.ir/article_13953_232e6f94c8d7691ca6ce0692f4b737f7.pdf |