Influence of strain induced by AlN nucleation layer on the electrical properties of AlGaN/GaN heterostructures on Si(111) substrate

Influence of strain induced by AlN nucleation layer on the electrical properties of AlGaN/GaN heterostructures on Si(111) substrate

The crack-free metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) grown AlGaN/GaN heterostructures on Si substrate with modified growth conditions of AlN nucleation layer (NL) and its influence on the electrical and structural properties of conductive GaN layer are presented. From the Hall electrical m...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ:	Dennis Christy, Arata Watanabe, Takashi Egawa
Ձևաչափ:	Հոդված
Լեզու:	English
Հրապարակվել է:	AIP Publishing LLC 2014-10-01
Շարք:	AIP Advances
Առցանց հասանելիություն:	http://dx.doi.org/10.1063/1.4897338

Նմանատիպ նյութեր

Investigation of interface properties of h-BN and AlN on AlGaN/GaN heterostructures
‌: Whiteside, Matthew David
Հրապարակվել է: (2021)

Toward AlGaN channel HEMTs on AlN: Polarization-induced 2DEGs in AlN/AlGaN/AlN heterostructures
‌: Jashan Singhal, և այլն
Հրապարակվել է: (2022-11-01)

Optical Performance of Two Dimensional Electron Gas and GaN:C Buffer Layers in AlGaN/AlN/GaN Heterostructures on SiC Substrate
‌: Roman B. Adamov, և այլն
Հրապարակվել է: (2021-06-01)

Off-state electrical breakdown of AlGaN/GaN/Ga(Al)N HEMT heterostructure grown on Si(111)
‌: Shuiming Li, և այլն
Հրապարակվել է: (2016-03-01)

Structural and optical properties of AlN/GaN and AlN/AlGaN/GaN thin films on silicon substrate prepared by plasma assisted molecular beam epitaxy (MBE)
‌: Ho Xin Jing, և այլն
Հրապարակվել է: (2019-03-01)

Control of yellow photoluminescence in AlGaN/GaN heterostructures
‌: Nadezhda B. Gladysheva, և այլն
Հրապարակվել է: (2019-06-01)

Influence of the gate position on source-to-drain resistance in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
‌: Yan Liu, և այլն
Հրապարակվել է: (2017-08-01)

High vertical breakdown strength in with low specific on-resistance AlGaN/AlN/GaN HEMTs on silicon
‌: Vicknesh, S., և այլն
Հրապարակվել է: (2014)

AlGaN/AlN heterostructures: an emerging platform for integrated photonics
‌: Sinan Gündoğdu, և այլն
Հրապարակվել է: (2025-01-01)

Atomic-column resolution quantitative composition analysis of AlN interlayer in MOCVD-grown AlGaN/AlN/GaN heterostructure using HAADF-STEM
‌: Q. Li, և այլն
Հրապարակվել է: (2023-01-01)

Nucleation and growth of GaN/AlN quantum dots
‌: Adelmann, C, և այլն
Հրապարակվել է: (2004)

Growth and characterization of AlGaN/GaN HEMT heterostructures on 100-mm Si (111) by MBE
‌: Manvi Agrawal
Հրապարակվել է: (2013)

Study of Interface of Ohmic Contacts to AlGaN/GaN Heterostructure
‌: Joanna Prazmowska, և այլն
Հրապարակվել է: (2016-01-01)

Improvement Performance of p-GaN Gate High-Electron-Mobility Transistors with GaN/AlN/AlGaN Barrier Structure
‌: An-Chen Liu, և այլն
Հրապարակվել է: (2024-04-01)

AlGaN/GaN two-dimensional-electron gas heterostructures on 200 mm diameter Si(111)
‌: Dolmanan, S. B., և այլն
Հրապարակվել է: (2013)

The Effect of the Barrier Layer on the Uniformity of the Transport Characteristics of AlGaN/GaN Heterostructures on HR-Si(111)
‌: Yujie Yan, և այլն
Հրապարակվել է: (2024-04-01)

Strain Balanced AlGaN/GaN/AlGaN nanomembrane HEMTs
‌: Tzu-Hsuan Chang, և այլն
Հրապարակվել է: (2017-07-01)

MOCVD Growth and Investigation of InGaN/GaN Heterostructure Grown on AlGaN/GaN-on-Si Template
‌: Haruka Matsuura, և այլն
Հրապարակվել է: (2019-04-01)

Effect of self-heating on electrical characteristics of AlGaN/ GaN HEMT on Si (111) substrate
‌: Adarsh Nigam, և այլն
Հրապարակվել է: (2017-08-01)

Growth and Device Performance of AlGaN/GaN Heterostructure with AlSiC Precoverage on Silicon Substrate
‌: Jae-Hoon Lee, և այլն
Հրապարակվել է: (2014-01-01)

Temperature Dependence of the Energy Band Diagram of AlGaN/GaN Heterostructure
‌: Yanli Liu, և այլն
Հրապարակվել է: (2018-01-01)

AlGaN/GaN heterostructure based 3-dimensional force sensors
‌: Péter Lajos Neumann, և այլն
Հրապարակվել է: (2023-06-01)

Study of Scandium Based Ohmic Contacts to AlGaN/GaN Heterostructures
‌: Grzegorz Ilgiewicz, և այլն
Հրապարակվել է: (2021-01-01)

Study of the effect of passivation layers on capacitance of AlGaN/GaN heterostructures
‌: Kira L. Enisherlova, և այլն
Հրապարակվել է: (2016-12-01)

Role of Self-Heating and Polarization in AlGaN/GaN-Based Heterostructures
‌: Khaled Ahmeda, և այլն
Հրապարակվել է: (2017-01-01)

Characteristic Analysis of AlGaN/GaN HEMT with Composited Buffer Layer on High-Heat Dissipation Poly-AlN Substrates
‌: Chong-Rong Huang, և այլն
Հրապարակվել է: (2021-10-01)

Cutoff frequency increase of gate recessed AlGaN/GaN MISHFETs with amorphous AlN insulator
‌: Peter Kordoš, և այլն
Հրապարակվել է: (2025-02-01)

Optical and Electrical Properties of AlGaN-Based High Electron Mobility Transistors and Photodetectors with AlGaN/AlN/GaN Channel-Stacking Structure
‌: Chia-Feng Lin, և այլն
Հրապարակվել է: (2024-05-01)

Polariton lasing in AlGaN microring with GaN/AlGaN quantum wells
‌: Anthonin Delphan, և այլն
Հրապարակվել է: (2023-02-01)

Breakdown mechanism in AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate
‌: Lu, Bin, և այլն
Հրապարակվել է: (2012)

Analysis of electrical properties in lateral Schottky barrier diode based on n-GaN and AlGaN/GaN heterostructure
‌: Honghui Liu, և այլն
Հրապարակվել է: (2022-11-01)

2DEG enhancement via epilayer stress engineering in AlN/GaN/AlN heterostructure
‌: Patwal, Shashank
Հրապարակվել է: (2021)

Effect of post-deposition annealing on the interface electronic structures of Al2O3-Capped GaN and GaN/AlGaN/GaN heterostructure
‌: Duan, Tian Li, և այլն
Հրապարակվել է: (2019)

Enhanced breakdown voltage for p-GaN gate AlGaN/GaN HEMT on AlN/Si with triple trenches: A simulation study
‌: Muhaimin Haziq, և այլն
Հրապարակվել է: (2024-09-01)

Effects of heavy Si doping on the structural and optical properties of n-GaN/AlN/Si(111) heterostructures
‌: M A Zambrano-Serrano, և այլն
Հրապարակվել է: (2022-01-01)

Demonstration of AlGaN/GaN MISHEMT on Si with low-temperature epitaxy grown AlN dielectric gate
‌: Whiteside, Matthew, և այլն
Հրապարակվել է: (2021)

Variable range hopping-assisted parasitic channel leakage in AlN/GaN/AlGaN HEMTs on Si
‌: Liu, Siyu, և այլն
Հրապարակվել է: (2024)

Coherent tunneling in an AlGaN/AlN/GaN heterojunction captured through an analogy with a MOS contact
‌: Yannick Baines, և այլն
Հրապարակվել է: (2017-08-01)

Structural properties of GaN grown on AlGaN/AlN stress mitigating layers on 100-mm Si (111) by ammonia molecular beam epitaxy
‌: Agrawal, M., և այլն
Հրապարակվել է: (2013)

Use of Laser Interferometry to Determine the End Time of the Plasma-Chemical Etching of p-GaN and AlGaN Layers of the p-GaN/AlGaN/GaN Heterostructure with Two-Dimensional Electron Gas
‌: A. D. Yunik, և այլն
Հրապարակվել է: (2022-12-01)