Influence of strain induced by AlN nucleation layer on the electrical properties of AlGaN/GaN heterostructures on Si(111) substrate

Influence of strain induced by AlN nucleation layer on the electrical properties of AlGaN/GaN heterostructures on Si(111) substrate

The crack-free metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) grown AlGaN/GaN heterostructures on Si substrate with modified growth conditions of AlN nucleation layer (NL) and its influence on the electrical and structural properties of conductive GaN layer are presented. From the Hall electrical m...

Повний опис

Бібліографічні деталі
Автори:	Dennis Christy, Arata Watanabe, Takashi Egawa
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	AIP Publishing LLC 2014-10-01
Серія:	AIP Advances
Онлайн доступ:	http://dx.doi.org/10.1063/1.4897338

Схожі ресурси

Investigation of interface properties of h-BN and AlN on AlGaN/GaN heterostructures
за авторством: Whiteside, Matthew David
Опубліковано: (2021)

Toward AlGaN channel HEMTs on AlN: Polarization-induced 2DEGs in AlN/AlGaN/AlN heterostructures
за авторством: Jashan Singhal, та інші
Опубліковано: (2022-11-01)

Optical Performance of Two Dimensional Electron Gas and GaN:C Buffer Layers in AlGaN/AlN/GaN Heterostructures on SiC Substrate
за авторством: Roman B. Adamov, та інші
Опубліковано: (2021-06-01)

Off-state electrical breakdown of AlGaN/GaN/Ga(Al)N HEMT heterostructure grown on Si(111)
за авторством: Shuiming Li, та інші
Опубліковано: (2016-03-01)

Structural and optical properties of AlN/GaN and AlN/AlGaN/GaN thin films on silicon substrate prepared by plasma assisted molecular beam epitaxy (MBE)
за авторством: Ho Xin Jing, та інші
Опубліковано: (2019-03-01)

Control of yellow photoluminescence in AlGaN/GaN heterostructures
за авторством: Nadezhda B. Gladysheva, та інші
Опубліковано: (2019-06-01)

Influence of the gate position on source-to-drain resistance in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
за авторством: Yan Liu, та інші
Опубліковано: (2017-08-01)

High vertical breakdown strength in with low specific on-resistance AlGaN/AlN/GaN HEMTs on silicon
за авторством: Vicknesh, S., та інші
Опубліковано: (2014)

AlGaN/AlN heterostructures: an emerging platform for integrated photonics
за авторством: Sinan Gündoğdu, та інші
Опубліковано: (2025-01-01)

Atomic-column resolution quantitative composition analysis of AlN interlayer in MOCVD-grown AlGaN/AlN/GaN heterostructure using HAADF-STEM
за авторством: Q. Li, та інші
Опубліковано: (2023-01-01)

Nucleation and growth of GaN/AlN quantum dots
за авторством: Adelmann, C, та інші
Опубліковано: (2004)

Growth and characterization of AlGaN/GaN HEMT heterostructures on 100-mm Si (111) by MBE
за авторством: Manvi Agrawal
Опубліковано: (2013)

Study of Interface of Ohmic Contacts to AlGaN/GaN Heterostructure
за авторством: Joanna Prazmowska, та інші
Опубліковано: (2016-01-01)

Improvement Performance of p-GaN Gate High-Electron-Mobility Transistors with GaN/AlN/AlGaN Barrier Structure
за авторством: An-Chen Liu, та інші
Опубліковано: (2024-04-01)

AlGaN/GaN two-dimensional-electron gas heterostructures on 200 mm diameter Si(111)
за авторством: Dolmanan, S. B., та інші
Опубліковано: (2013)

The Effect of the Barrier Layer on the Uniformity of the Transport Characteristics of AlGaN/GaN Heterostructures on HR-Si(111)
за авторством: Yujie Yan, та інші
Опубліковано: (2024-04-01)

Strain Balanced AlGaN/GaN/AlGaN nanomembrane HEMTs
за авторством: Tzu-Hsuan Chang, та інші
Опубліковано: (2017-07-01)

MOCVD Growth and Investigation of InGaN/GaN Heterostructure Grown on AlGaN/GaN-on-Si Template
за авторством: Haruka Matsuura, та інші
Опубліковано: (2019-04-01)

Effect of self-heating on electrical characteristics of AlGaN/ GaN HEMT on Si (111) substrate
за авторством: Adarsh Nigam, та інші
Опубліковано: (2017-08-01)

Growth and Device Performance of AlGaN/GaN Heterostructure with AlSiC Precoverage on Silicon Substrate
за авторством: Jae-Hoon Lee, та інші
Опубліковано: (2014-01-01)

Temperature Dependence of the Energy Band Diagram of AlGaN/GaN Heterostructure
за авторством: Yanli Liu, та інші
Опубліковано: (2018-01-01)

AlGaN/GaN heterostructure based 3-dimensional force sensors
за авторством: Péter Lajos Neumann, та інші
Опубліковано: (2023-06-01)

Study of Scandium Based Ohmic Contacts to AlGaN/GaN Heterostructures
за авторством: Grzegorz Ilgiewicz, та інші
Опубліковано: (2021-01-01)

Study of the effect of passivation layers on capacitance of AlGaN/GaN heterostructures
за авторством: Kira L. Enisherlova, та інші
Опубліковано: (2016-12-01)

Role of Self-Heating and Polarization in AlGaN/GaN-Based Heterostructures
за авторством: Khaled Ahmeda, та інші
Опубліковано: (2017-01-01)

Characteristic Analysis of AlGaN/GaN HEMT with Composited Buffer Layer on High-Heat Dissipation Poly-AlN Substrates
за авторством: Chong-Rong Huang, та інші
Опубліковано: (2021-10-01)

Cutoff frequency increase of gate recessed AlGaN/GaN MISHFETs with amorphous AlN insulator
за авторством: Peter Kordoš, та інші
Опубліковано: (2025-02-01)

Optical and Electrical Properties of AlGaN-Based High Electron Mobility Transistors and Photodetectors with AlGaN/AlN/GaN Channel-Stacking Structure
за авторством: Chia-Feng Lin, та інші
Опубліковано: (2024-05-01)

Polariton lasing in AlGaN microring with GaN/AlGaN quantum wells
за авторством: Anthonin Delphan, та інші
Опубліковано: (2023-02-01)

Breakdown mechanism in AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate
за авторством: Lu, Bin, та інші
Опубліковано: (2012)

Analysis of electrical properties in lateral Schottky barrier diode based on n-GaN and AlGaN/GaN heterostructure
за авторством: Honghui Liu, та інші
Опубліковано: (2022-11-01)

2DEG enhancement via epilayer stress engineering in AlN/GaN/AlN heterostructure
за авторством: Patwal, Shashank
Опубліковано: (2021)

Effect of post-deposition annealing on the interface electronic structures of Al2O3-Capped GaN and GaN/AlGaN/GaN heterostructure
за авторством: Duan, Tian Li, та інші
Опубліковано: (2019)

Enhanced breakdown voltage for p-GaN gate AlGaN/GaN HEMT on AlN/Si with triple trenches: A simulation study
за авторством: Muhaimin Haziq, та інші
Опубліковано: (2024-09-01)

Effects of heavy Si doping on the structural and optical properties of n-GaN/AlN/Si(111) heterostructures
за авторством: M A Zambrano-Serrano, та інші
Опубліковано: (2022-01-01)

Demonstration of AlGaN/GaN MISHEMT on Si with low-temperature epitaxy grown AlN dielectric gate
за авторством: Whiteside, Matthew, та інші
Опубліковано: (2021)

Variable range hopping-assisted parasitic channel leakage in AlN/GaN/AlGaN HEMTs on Si
за авторством: Liu, Siyu, та інші
Опубліковано: (2024)

Coherent tunneling in an AlGaN/AlN/GaN heterojunction captured through an analogy with a MOS contact
за авторством: Yannick Baines, та інші
Опубліковано: (2017-08-01)

Structural properties of GaN grown on AlGaN/AlN stress mitigating layers on 100-mm Si (111) by ammonia molecular beam epitaxy
за авторством: Agrawal, M., та інші
Опубліковано: (2013)

Use of Laser Interferometry to Determine the End Time of the Plasma-Chemical Etching of p-GaN and AlGaN Layers of the p-GaN/AlGaN/GaN Heterostructure with Two-Dimensional Electron Gas
за авторством: A. D. Yunik, та інші
Опубліковано: (2022-12-01)