InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD结构设计与静态光电特性测量

本文根据雪崩电场及限制隧道电流要求出发,画出结构参数选择空间。估算和选择了InGaAs/InGaAsP/InPSAGM-APD器件结构,测量了光电流-电压的二级阶梯扭折曲线,给出和讨论了与实际测量的M<sub>ρ</sub>比较吻合的经验公式。

Bibliographic Details
Main Author:	丁国庆
Format:	Article
Language:	zho
Published:	《光通信研究》编辑部 1989-01-01
Series:	Guangtongxin yanjiu
Online Access:	http://www.gtxyj.com.cn/thesisDetails#10.13756/j.gtxyj.1989.04.009

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