دراسة شبه تجريبية لمدى توزع أيونات B ,Al ,P, As المزروعة في السيلكون الأمورفي
تهدف هذه الدراسة إلى إيجاد R مدى توزع أيونات B ,Al ,P, Asالمسرّعة بطاقات في المجال 50 – 300 keV المزروعة في هدف سيليكوني باستخدام طريقة شبه تجريبية لاشابته بحاملات شحنة من النوع n و p ثم حساب مقدار التشتت ∆Rp عن مسقط مسار الأيون Rp على امتداد الحزمة الأيونية الواردة, وذلك بافتراض أن وسيط التصادم ي...
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | Arabic |
| Published: |
Tishreen University
2018-12-01
|
| Series: | مجلة جامعة تشرين للبحوث والدراسات العلمية، سلسلة العلوم الأساسية |
| Online Access: | http://www.journal.tishreen.edu.sy/index.php/bassnc/article/view/5114 |