半导体光放大器端面镀膜的实验与研究

在中心波长为1310nm的InGaAsP半导体激光器的端面镀制了剩余反射率<10-4的3层减反射膜,得到了自发辐射谱波纹<0.5dB的半导体光放大器.

Bibliographic Details
Main Authors:	常进, 黄德修
Format:	Article
Language:	zho
Published:	《光通信研究》编辑部 2004-01-01
Series:	Guangtongxin yanjiu
Subjects:	半导体光放大器;减反膜镀制;剩余反射率
Online Access:	http://www.gtxyj.com.cn/thesisDetails#10.13756/j.gtxyj.2004.05.022

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