InGaAs/InGaAsP/InP SAGM—APD暗电流与光倍增因子的温度特性
本文论述了暗电流I和光倍增因子M<sub>p</sub>与温度T的关系,并测量了InGaAs/InGaAsP/InP SAGM-APD的暗电流—温度变化率与M<sub>p</sub>-T特性。当温度由20℃升至90℃时,暗电流将增大10～30倍;而由20℃升至60℃时,光倍增因字M<sub>p</sub>将减小1/3左右。文中还建议以严格的高低温循环来淘汰可能早期失效的SAGM-APD管芯。...
| Autore principale: | |
|---|---|
| Natura: | Articolo |
| Lingua: | zho |
| Pubblicazione: |
《光通信研究》编辑部
1990-01-01
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| Serie: | Guangtongxin yanjiu |
| Accesso online: | http://www.gtxyj.com.cn/thesisDetails#10.13756/j.gtxyj.1990.04.007 |