Area and Bandwidth Enhancement of an n<sup>+</sup>/p-Well Dot Avalanche Photodiode in 0.35 μm CMOS Technology
This paper presents a CMOS-integrated dot avalanche photodiode (dot-APD) that features a small central n<sup>+</sup>/p-well hemispherical cathode/p-well structure circularly surrounded by an anode ring. The dot-APD enables wide hemispherical depletion, charge collection from a large volu...
| Հիմնական հեղինակներ: | , , , , |
|---|---|
| Ձևաչափ: | Հոդված |
| Լեզու: | English |
| Հրապարակվել է: |
MDPI AG
2023-03-01
|
| Շարք: | Sensors |
| Խորագրեր: | |
| Առցանց հասանելիություն: | https://www.mdpi.com/1424-8220/23/7/3403 |