Optical gain in one-dimensional photonic band gap structures with n-i-p-i crystal layers

The gain enhancement in a layered periodic photonic band gap structure containing active medium based on GaAs n-i-p-i superlattices separated by AlGaAs layers is analyzed. The dependences of extinction coefficient and refractive index on excitation level and wavelength are presented. Transmission c...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ: Igor S. Nefedov, Victor N. Gusyatnikov, Marian Marciniak, Valerii K. Kononenko, Dmitrii V. Ushakov
Ձևաչափ: Հոդված
Լեզու:English
Հրապարակվել է: National Institute of Telecommunications 2002-03-01
Շարք:Journal of Telecommunications and Information Technology
Խորագրեր:
Առցանց հասանելիություն:https://jtit.pl/jtit/article/view/107