Etude analytique d’une cellule solaire à hétérojonction p+ (GaAs)/n (AlxGa1-xAs)/N (Al0.4Ga0.6As)
Afin de réduire les pertes par recombinaison dans la zone de charge d’espace pour les cellules GaAs, nous proposons une structure p+ (GaAs)/ n (AlxGa1-xAs)/ N (Al0.4Ga0.6As) avec une interface à bande interdite graduelle entre l’émetteur p+ (GaAs) et la base N (Al0.4Ga0.6As). Le courant de recombina...
| Main Authors: | , |
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| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Renewable Energy Development Center (CDER)
2008-06-01
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| Series: | Revue des Énergies Renouvelables |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://revue.cder.dz/index.php/rer/article/view/75 |