Создание гетероструктуры a-Ga2O3:Sn/a-Cr2O3/a-Al2O3 методами газофазной эпитаксии

Создание гетероструктуры a-Ga2O3:Sn/a-Cr2O3/a-Al2O3 методами газофазной эпитаксии

Оксид хрома со структурой корунда (a-Cr2O3), обладающий возможностью иметь проводимость p-типа, является привлекательным кандидатом для создания высококачественных p-n-гетеропереходов с корундоподобным оксидом галлия (a-Ga2O3). При изготовлении гетероструктуры использовались два метода выращивания...

Full description

Bibliographic Details
Main Authors: Павел Николаевич Бутенко, Роман Борисович Тимашов, Андрей Иванович Степанов, Алексей Иванович Печников, Андрей Владимирович Чикиряка, Любовь Игоревна Гузилова, Сергей Иванович Степанов, Владимир Иванович Николаев
Format: Article
Language:English
Published: Voronezh State University 2023-12-01
Series:Конденсированные среды и межфазные границы
Subjects:
оксид галлия
оксид хрома
сапфировая подложка
гетероэпитаксия
газофазная эпитаксия
метод ультразвукового осаждения мелкодисперсного аэрозоля
метод гидридной парофазной эпитаксии
Online Access:https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/11476

Internet

https://journals.vsu.ru/kcmf/article/view/11476

Similar Items