Transporte Eletrônico no Semicondutor Carbeto de Silício na Fase 3C
Neste trabalho estudamos teoricamente a mobilidade eletrônica do semicondutor carbeto de silício na fase 3C, chamado de 3C-SiC. O 3C-SiC tem mostrado uma grande potencialidade para aplicações em condições extremas. Assim o estudo da mobilidade eletrônica deste semicondutor é de grande interesse. Nes...
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | Portuguese |
| Published: |
Universidade Federal de Roraima, Centro de Ciência e Tecnologia
2022-07-01
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| Series: | RCT: Revista de Ciência e Tecnologia |
| Online Access: | https://revista.ufrr.br/rct/article/view/6430 |