| Summary: | Neste trabalho estudamos teoricamente a mobilidade eletrônica do semicondutor carbeto de silício na fase 3C, chamado de 3C-SiC. O 3C-SiC tem mostrado uma grande potencialidade para aplicações em condições extremas. Assim o estudo da mobilidade eletrônica deste semicondutor é de grande interesse. Neste trabalho foi deduzido teoricamente a velocidade de deriva, o deslocamento e a mobilidade dos portadores de carga no semicondutor 3C-SiC dopado tipo n e submetido a um campo elétrico constante sendo analisada a dependência destas propriedades com a intensidade do campo elétrico e temperatura. Para tanto, foi utilizada uma equação diferencial de movimento com um termo de fonte (devido a campos elétricos) e um termo de resistência ao movimento (resistência elétrica).
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