Transporte Eletrônico no Semicondutor Carbeto de Silício na Fase 3C

Transporte Eletrônico no Semicondutor Carbeto de Silício na Fase 3C

Neste trabalho estudamos teoricamente a mobilidade eletrônica do semicondutor carbeto de silício na fase 3C, chamado de 3C-SiC. O 3C-SiC tem mostrado uma grande potencialidade para aplicações em condições extremas. Assim o estudo da mobilidade eletrônica deste semicondutor é de grande interesse. Nes...

Full description

Bibliographic Details
Main Authors:	Amanda M. D. Corrêa, Clóves Gonçalves Rodrigues
Format:	Article
Language:	Portuguese
Published:	Universidade Federal de Roraima, Centro de Ciência e Tecnologia 2022-07-01
Series:	RCT: Revista de Ciência e Tecnologia
Online Access:	https://revista.ufrr.br/rct/article/view/6430

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