Silicon p-i-n Mesa-Photodiode Technology

The paper proposes the technology of silicon p-i-n mesa-photodiodes, which allows to exclude one high-temperature operation from the technological route. Reducing the number of thermal operations reduces the degree of degradation of the electro-physical characteristics of silicon during heat treatme...

সম্পূর্ণ বিবরণ

গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক: Mykola S. Kukurudziak, Volodymyr M. Lipka, Vyacheslav V. Ryukhtin
বিন্যাস: প্রবন্ধ
ভাষা:English
প্রকাশিত: V.N. Karazin Kharkiv National University Publishing 2024-09-01
মালা:East European Journal of Physics
বিষয়গুলি:
অনলাইন ব্যবহার করুন:https://periodicals.karazin.ua/eejp/article/view/23784