极化效应对氮化镓型LED性能影响分析
对氮化镓（InGaN/GaN）型MQW（多量子阱）结构的蓝宝石衬底LED（发光二极管）受自发和压电极化效应的影响进行了研究。为了分析LED的输出特性,利用MATLAB软件对传统水平结构的InGaN/GaN型MQW蓝光LED芯片进行了模拟。研究表明,LED各个界面极化电荷同比例增加能稍微改善LED的电学特性,但却显著降低了LED的光输出功率和内量子效率,这主要是由于界面电荷改变了能带结构,阻碍了空穴的扩散与漂移,降低了辐射复合系数。可以通过改变位错密度来降低极化电荷对LED的影响,改善LED的性能。...
| Main Authors: | , , |
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| Format: | Article |
| Language: | zho |
| Published: |
《光通信研究》编辑部
2013-01-01
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| Series: | Guangtongxin yanjiu |
| Subjects: | |
| Online Access: | http://www.gtxyj.com.cn/thesisDetails#10.13756/j.gtxyj.2013.04.006 |