Electrostatically Doped DSL Schottky Barrier MOSFET on SOI for Low Power Applications
In this paper, we propose and simulate a novel Schottky barrier MOSFET (SB-MOSFET) with improved performance in comparison to the conventional SB-MOSFET. The proposed device employs charge plasma/electrostatic doping-based dopant segregation layers (DSLs) by using metal extensions (Hafnium) at the s...
| Những tác giả chính: | , , |
|---|---|
| Định dạng: | Bài viết |
| Ngôn ngữ: | English |
| Được phát hành: |
IEEE
2018-01-01
|
| Loạt: | IEEE Journal of the Electron Devices Society |
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | https://ieeexplore.ieee.org/document/8067464/ |