Back contact modification of the optoelectronic device with transition metal dichalcogenide VSe2 film drives solar cell efficiency
VSe2 is with high electrical conductivity and high work function, thus it is beneficial for the carrier transport in the optoelectronic devices. However, the performance and mechanism of its effect on the photoelectronic devices conversion efficiency is still beyond understood. In this work, we fabr...
Những tác giả chính: | Yu Zeng, Zhan Shen, Xu Wu, Dong-Xiao Wang, Ye-Liang Wang, Ya-Li Sun, Li Wu, Yi Zhang |
---|---|
Định dạng: | Bài viết |
Ngôn ngữ: | English |
Được phát hành: |
Elsevier
2021-05-01
|
Loạt: | Journal of Materiomics |
Những chủ đề: | |
Truy cập trực tuyến: | http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S2352847820305165 |
Những quyển sách tương tự
-
Formation of Monolayer Charge Density Waves and Anomalous Edge Doping in Na Doped Bulk VSe2
Bằng: Ulysse Chazarin, et al.
Được phát hành: (2023-01-01) -
Interlayer excitons in transition metal dichalcogenide semiconductors for 2D optoelectronics
Bằng: Liu, Yuanda, et al.
Được phát hành: (2022) -
Optoelectronic Devices Based on Atomically Thin Transition Metal Dichalcogenides
Bằng: Andreas Pospischil, et al.
Được phát hành: (2016-03-01) -
Optoelectronics with single layer group-VIB transition metal dichalcogenides
Bằng: Khan M.A., et al.
Được phát hành: (2018-09-01) -
Optoelectronic and photonic devices based on transition metal dichalcogenides
Bằng: Kartikey Thakar, et al.
Được phát hành: (2020-01-01)