GaAs-TABANLI LASERLERDE ELEKTROMANYETİK PROPAGASYON SABİTİNİN İNCELENMESİ

GaAs - bazlı yarıiletken laserlerin önemi son yıllarda gittikçe artmaktadır. Enjekte edilen akım, taşıyıcıların yeniden birleştiği merkezi bir bölgede, genişliği yüksekliğinden büyük bir yarıiletken ortam içinde tuzaklanmaktadır. GaAs malzemesinin içine katılan aliminyum ile yapılan AlxGa1-xAs formu...

Full description

Bibliographic Details
Main Authors: Hakan Acer, Mustafa Temiz
Format: Article
Language:English
Published: Pamukkale University 1998-01-01
Series:Pamukkale University Journal of Engineering Sciences
Subjects:
Online Access:https://dergipark.org.tr/tr/pub/pajes/issue/20544/218934