GaAs-TABANLI LASERLERDE ELEKTROMANYETİK PROPAGASYON SABİTİNİN İNCELENMESİ
GaAs - bazlı yarıiletken laserlerin önemi son yıllarda gittikçe artmaktadır. Enjekte edilen akım, taşıyıcıların yeniden birleştiği merkezi bir bölgede, genişliği yüksekliğinden büyük bir yarıiletken ortam içinde tuzaklanmaktadır. GaAs malzemesinin içine katılan aliminyum ile yapılan AlxGa1-xAs formu...
| Main Authors: | , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Pamukkale University
1998-01-01
|
| Series: | Pamukkale University Journal of Engineering Sciences |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://dergipark.org.tr/tr/pub/pajes/issue/20544/218934 |
| _version_ | 1797917768835661824 |
|---|---|
| author | Hakan Acer Mustafa Temiz |
| author_facet | Hakan Acer Mustafa Temiz |
| author_sort | Hakan Acer |
| collection | DOAJ |
| description | GaAs - bazlı yarıiletken laserlerin önemi son yıllarda gittikçe artmaktadır. Enjekte edilen akım, taşıyıcıların yeniden birleştiği merkezi bir bölgede, genişliği yüksekliğinden büyük bir yarıiletken ortam içinde tuzaklanmaktadır. GaAs malzemesinin içine katılan aliminyum ile yapılan AlxGa1-xAs formundaki yapılar, kafes sabitleri hemen hemen denk olan yapıları oluşturmakta, enerji-bant yapısında yasak bantı artırmakta, kırılma indisini azaltmaktadır. Bu özellikler, GaAs ve AlxGa1-xAs malzemelerle gerçekleştirilen heterojonksiyon yapıların elde edilmesine, yarıiletken laserlerde olduğu gibi, elektromanyetik enerjinin, özellikle, optik enerjinin kuvvetlendirilmesine, klavuzlanarak fiberoptik hatlarla nakledilmelerine imkan sağlamaktadır. GaAs - bazlı yarıiletken yapılar, özellikle, laserler, ince film katmanlarından (? 40-100 A o ), oluşur. Bu kuantum boyutları, kullanılan dalga boyu ile kıyaslanabilecek derecede küçüktür ve özel etkiler doğurmaktadır. Kuantum - çukurlu yapılar, bu tür etkilerin bir sonucudur. Bu çalışmada yarıiletken katmanlarda tuzaklanan elektromanyetik dalganın şekli ve propagasyon sabitinin davranışı incelenmiştir. |
| first_indexed | 2024-04-10T13:18:40Z |
| format | Article |
| id | doaj.art-eec3ee2869ab4529a5dbd279689b9ef9 |
| institution | Directory Open Access Journal |
| issn | 1300-7009 2147-5881 |
| language | English |
| last_indexed | 2024-04-10T13:18:40Z |
| publishDate | 1998-01-01 |
| publisher | Pamukkale University |
| record_format | Article |
| series | Pamukkale University Journal of Engineering Sciences |
| spelling | doaj.art-eec3ee2869ab4529a5dbd279689b9ef92023-02-15T16:12:09ZengPamukkale UniversityPamukkale University Journal of Engineering Sciences1300-70092147-58811998-01-0141541550218GaAs-TABANLI LASERLERDE ELEKTROMANYETİK PROPAGASYON SABİTİNİN İNCELENMESİHakan AcerMustafa TemizGaAs - bazlı yarıiletken laserlerin önemi son yıllarda gittikçe artmaktadır. Enjekte edilen akım, taşıyıcıların yeniden birleştiği merkezi bir bölgede, genişliği yüksekliğinden büyük bir yarıiletken ortam içinde tuzaklanmaktadır. GaAs malzemesinin içine katılan aliminyum ile yapılan AlxGa1-xAs formundaki yapılar, kafes sabitleri hemen hemen denk olan yapıları oluşturmakta, enerji-bant yapısında yasak bantı artırmakta, kırılma indisini azaltmaktadır. Bu özellikler, GaAs ve AlxGa1-xAs malzemelerle gerçekleştirilen heterojonksiyon yapıların elde edilmesine, yarıiletken laserlerde olduğu gibi, elektromanyetik enerjinin, özellikle, optik enerjinin kuvvetlendirilmesine, klavuzlanarak fiberoptik hatlarla nakledilmelerine imkan sağlamaktadır. GaAs - bazlı yarıiletken yapılar, özellikle, laserler, ince film katmanlarından (? 40-100 A o ), oluşur. Bu kuantum boyutları, kullanılan dalga boyu ile kıyaslanabilecek derecede küçüktür ve özel etkiler doğurmaktadır. Kuantum - çukurlu yapılar, bu tür etkilerin bir sonucudur. Bu çalışmada yarıiletken katmanlarda tuzaklanan elektromanyetik dalganın şekli ve propagasyon sabitinin davranışı incelenmiştir.https://dergipark.org.tr/tr/pub/pajes/issue/20544/218934gallium-arsenide confined electromagnetic field propagation constant semiconductor lasergalyum - arsenit hapsedilen elektromanyetik alan propagasyon sabiti yarıiletkenlaser |
| spellingShingle | Hakan Acer Mustafa Temiz GaAs-TABANLI LASERLERDE ELEKTROMANYETİK PROPAGASYON SABİTİNİN İNCELENMESİ Pamukkale University Journal of Engineering Sciences gallium-arsenide confined electromagnetic field propagation constant semiconductor laser galyum - arsenit hapsedilen elektromanyetik alan propagasyon sabiti yarıiletkenlaser |
| title | GaAs-TABANLI LASERLERDE ELEKTROMANYETİK PROPAGASYON SABİTİNİN İNCELENMESİ |
| title_full | GaAs-TABANLI LASERLERDE ELEKTROMANYETİK PROPAGASYON SABİTİNİN İNCELENMESİ |
| title_fullStr | GaAs-TABANLI LASERLERDE ELEKTROMANYETİK PROPAGASYON SABİTİNİN İNCELENMESİ |
| title_full_unstemmed | GaAs-TABANLI LASERLERDE ELEKTROMANYETİK PROPAGASYON SABİTİNİN İNCELENMESİ |
| title_short | GaAs-TABANLI LASERLERDE ELEKTROMANYETİK PROPAGASYON SABİTİNİN İNCELENMESİ |
| title_sort | gaas tabanli laserlerde elektromanyetik propagasyon sabitinin incelenmesi |
| topic | gallium-arsenide confined electromagnetic field propagation constant semiconductor laser galyum - arsenit hapsedilen elektromanyetik alan propagasyon sabiti yarıiletkenlaser |
| url | https://dergipark.org.tr/tr/pub/pajes/issue/20544/218934 |
| work_keys_str_mv | AT hakanacer gaastabanlilaserlerdeelektromanyetikpropagasyonsabitininincelenmesi AT mustafatemiz gaastabanlilaserlerdeelektromanyetikpropagasyonsabitininincelenmesi |