Radiation Defects in Heterostructures 3C-SiC/4H-SiC

Radiation Defects in Heterostructures 3C-SiC/4H-SiC

The effect of 8 MeV proton irradiation on n-3<i>C</i>-SiC epitaxial layers grown by sublimation on semi-insulating 4<i>H</i>-SiC substrates has been studied. Changes in sample parameters were recorded using the Hall-effect method and judged from photoluminescence spectra. It...

Повний опис

Бібліографічні деталі
Автори:	A.A. Lebedev, G.A. Oganesyan, V.V. Kozlovski, I.A. Eliseyev, P.V. Bulat
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	MDPI AG 2019-02-01
Серія:	Crystals
Предмети:	sublimation epitaxy 3C-SiC proton irradiation structural defects photoluminescence Hall effect Raman spectroscopy
Онлайн доступ:	https://www.mdpi.com/2073-4352/9/2/115

Схожі ресурси

Epitaxial Graphene on SiC: A Review of Growth and Characterization
за авторством: Gholam Reza Yazdi, та інші
Опубліковано: (2016-05-01)

Electronic and Transport Properties of Epitaxial Graphene on SiC and 3C-SiC/Si: A Review
за авторством: Aiswarya Pradeepkumar, та інші
Опубліковано: (2020-06-01)

Special Issue “Fundamentals and Recent Advances in Epitaxial Graphene on SiC”
за авторством: Ivan Shtepliuk, та інші
Опубліковано: (2021-04-01)

Epitaxial synthesis of graphene on 4H-SiC by microwave plasma chemical vapor deposition
за авторством: Xuemin Zhang, та інші
Опубліковано: (2020-01-01)

Raman Spectroscopy Imaging of Exceptional Electronic Properties in Epitaxial Graphene Grown on SiC
за авторством: A. Ben Gouider Trabelsi, та інші
Опубліковано: (2020-11-01)

The comparison of microstructure and oxidation behaviors of (SiC-C)/PyC/SiC and C/PyCHT/SiC composites in air
за авторством: Liu Shanhua, та інші
Опубліковано: (2015-07-01)

Surface Chemistry Involved in Epitaxy of Graphene on 3C-SiC(111)/Si(111)
за авторством: Abe Shunsuke, та інші
Опубліковано: (2010-01-01)

Dielectric and photovoltaic properties of heterostructure SiC / Si
за авторством: O.N. Sergeeva, та інші
Опубліковано: (2017-12-01)

Controlling the Si/C ratio in SiC matrix based on the modified polymethysilane for C/C–SiC composites with enhanced mechanical properties
за авторством: Mingdong Liao, та інші
Опубліковано: (2024-02-01)

Effects of Al on epitaxial graphene grown on 6H-SiC(0001)
за авторством: C Xia, та інші
Опубліковано: (2014-01-01)

Combination of PIP and LSI processes for SiC/SiC ceramic matrix composites
за авторством: Fabia Süß, та інші
Опубліковано: (2021-03-01)

Impact of crystalline defects in 4H-SiC epitaxial layers on the electrical characteristics and blocking capability of SiC power devices
за авторством: E Kodolitsch, та інші
Опубліковано: (2022-01-01)

Low Temperature Growth of the Nanotextured Island and Solid 3C-SiC Layers on Si from Hydric Si, Ge and C Compounds
за авторством: Lev K. Orlov, та інші
Опубліковано: (2020-06-01)

Recent advances in joining of SiC-based materials (monolithic SiC and SiCf/SiC composites): Joining processes, joint strength, and interfacial behavior
за авторством: Guiwu Liu, та інші
Опубліковано: (2019-03-01)

Surface charges and optical characteristic of colloidal cubic SiC nanocrystals
за авторством: Chen Changxin, та інші
Опубліковано: (2011-01-01)

SiC MOSFETs capacitance study
за авторством: Ilaria Matacena, та інші
Опубліковано: (2023-09-01)

Understanding of the Electrochemical Behavior of Lithium at Bilayer-Patched Epitaxial Graphene/4H-SiC
за авторством: Ivan Shtepliuk, та інші
Опубліковано: (2022-06-01)

Influence of Growth Process on Suppression of Surface Morphological Defects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers
за авторством: Yicheng Pei, та інші
Опубліковано: (2024-05-01)

Preparation and luminescent properties of SiC nanoparticles by strong pulse discharge in organic liquid phase environment
за авторством: Kai Du, та інші
Опубліковано: (2024-01-01)

Research progress on NITE process for fabricating SiC<sub>f</sub>/SiC composites
за авторством: GAO Ye, та інші
Опубліковано: (2019-08-01)

High-Quality Few-Layer Graphene on Single-Crystalline SiC thin Film Grown on Affordable Wafer for Device Applications
за авторством: Norifumi Endoh, та інші
Опубліковано: (2021-02-01)

Development of 3C-SiC MOSFETs
за авторством: Mietek Bakowski, та інші
Опубліковано: (2023-06-01)

In situ reactive fabrication of ZrC–SiC coating on Cf/ZrC–SiC composite
за авторством: Qinggang Li, та інші
Опубліковано: (2015-06-01)

A mixed XFEM and CZM approach for predicting progressive failure in advanced SiC/SiC CMC component
за авторством: Amit Patel, та інші
Опубліковано: (2022-10-01)

Investigation on Step-Bunched Homoepitaxial Layers Grown on On-Axis 4H-SiC Substrates via Molten KOH Etching
за авторством: Jiulong Wang, та інші
Опубліковано: (2022-05-01)

Tailoring Permanent Charge Carrier Densities in Epitaxial Graphene on SiC by Functionalization with F4‐TCNQ
за авторством: Yefei Yin, та інші
Опубліковано: (2022-12-01)

Investigation of the Film Cooling Performance of Laminated SiC<sub>f</sub>SiC Composite Plates
за авторством: Zhaoguo Mi, та інші
Опубліковано: (2024-08-01)

Bending fatigue behavior in an advanced SiC/SiC ceramic matrix composite component at elevated temperature in air
за авторством: Amit Patel, та інші
Опубліковано: (2021-07-01)

Factors affecting the density of C/C-SiC composite
за авторством: CHEN Zhiyong, та інші
Опубліковано: (2021-02-01)

Comparison of 4H-SiC and 6H-SiC MOSFET I-V characteristics simulated with Silvaco Atlas and Crosslight Apsys
за авторством: Jędrzej Stęszewski, та інші
Опубліковано: (2023-06-01)

Epitaxial Graphene on 4H-SiC (0001) as a Versatile Platform for Materials Growth: Mini-Review
за авторством: Ivan Shtepliuk, та інші
Опубліковано: (2021-06-01)

Protección contra la oxidación de materiales compuestos SiC(C/SiC) mediante la combinación de recubrimientos de silicatos de itrio y sílice
за авторством: Aparicio, M., та інші
Опубліковано: (2001-12-01)

Voltage-Controlled Anodic Oxidation of Porous Fluorescent SiC for Effective Surface Passivation
за авторством: Kosuke Yanai, та інші
Опубліковано: (2020-10-01)

In-situ formation of the BSG bubbles toward SiC/SiC composites protection mechanisms under thermal shock treatment
за авторством: Bo Li, та інші
Опубліковано: (2023-09-01)

Investigation of High-Speed Rubbing Behavior of GH4169 Superalloy with SiC/SiC Composites
за авторством: Zhaoguo Mi, та інші
Опубліковано: (2024-05-01)

Roadmap for SiC power devices
за авторством: Mietek Bakowski
Опубліковано: (2000-12-01)

Exhaustive characterization of modified Si vacancies in 4H-SiC
за авторством: Davidsson Joel, та інші
Опубліковано: (2022-09-01)

Is the Registry Between Adjacent Graphene Layers Grown on C-Face SiC Different Compared to That on Si-Face SiC
за авторством: Chariya Virojanadara, та інші
Опубліковано: (2013-01-01)

Compósitos SiCf /SiC utilizados em sistemas de proteção térmica SiCf /SiC composites for thermal protection systems
за авторством: M. Florian, та інші
Опубліковано: (2005-09-01)

Uncertainty analysis and B-basis value of tensile strength of 2D SiC/SiC composite
за авторством: Xuehan Ma, та інші
Опубліковано: (2023-05-01)