رسانش از سد دی‌سلنیوم تنگستن از میان اتصالات سیلیسین
حاملان بار در دی‌کالکوژنیدهای فلزات واسطه دارای درجه آزادی کوانتومیبار، وادی و اسپین هستند.در این مقاله، خواص ترابرد الکترونی را در اتصالی که دی‌سلنیوم تنگستن ( )، بین دو ناحیه سیلیسین نرمال محصور شده است، را در حضور میدان‌های تبادلی زیمان اسپین ( ) و وادی ( ) و همچنین یک پتانسیل الکتریکی مورد بررسی...
| Main Authors: | , , |
|---|---|
| Format: | Article |
| Language: | fas |
| Published: |
Shahid Chamran University of Ahvaz
2020-11-01
|
| Series: | پژوهش سیستم‌های بس‌ذره‌ای |
| Subjects: | |
| Online Access: | https://jrmbs.scu.ac.ir/article_16181_ae6b63edf194824630f5851bd69ed96a.pdf |