Ultra-High Mobility in Dielectrically Pinned CVD Graphene

Ultra-High Mobility in Dielectrically Pinned CVD Graphene

We report improved control over the quality and uniformity of CVD graphene devices through a novel fabrication technique. An overlying HSQ pinning dielectric is used to physically anchor and protect the graphene sheet, resulting in electron and hole motilities of 25 600 and 23 700 cm<sup>2<...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ: Ramy Nashed, Chenyun Pan, Kevin Brenner, Azad Naeemi
Ձևաչափ: Հոդված
Լեզու:English
Հրապարակվել է: IEEE 2016-01-01
Շարք:IEEE Journal of the Electron Devices Society
Խորագրեր:
CVD graphene
dielectric screening
electron mobility
energy-delay product
interconnects
mean-free-path
Առցանց հասանելիություն:https://ieeexplore.ieee.org/document/7524694/

Համացանց

https://ieeexplore.ieee.org/document/7524694/

Նմանատիպ նյութեր