Modeling gallium-nitride based high electron Mobility transistors : linking device physics to high voltage and high frequency circuit design

Thesis: Ph. D., Massachusetts Institute of Technology, Department of Electrical Engineering and Computer Science, 2016.

מידע ביבליוגרפי
מחבר ראשי: Radhakrishna, Ujwal
מחברים אחרים: Dimitri A. Antoniadis.
פורמט: Thesis
שפה:eng
יצא לאור: Massachusetts Institute of Technology 2016
נושאים:
גישה מקוונת:http://hdl.handle.net/1721.1/105951