Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) technology : current advancement and future development
Thesis: M. Eng., Massachusetts Institute of Technology, Department of Materials Science and Engineering, 2010
প্রধান লেখক: | Lnu, Shimon. |
---|---|
অন্যান্য লেখক: | Caroline A. Ross. |
বিন্যাস: | গবেষণাপত্র |
ভাষা: | eng |
প্রকাশিত: |
Massachusetts Institute of Technology
2019
|
বিষয়গুলি: | |
অনলাইন ব্যবহার করুন: | https://hdl.handle.net/1721.1/122861 |
অনুরূপ উপাদানগুলি
অনুরূপ উপাদানগুলি
-
An analysis of MRAM based memory technologies
অনুযায়ী: Vijayaraghavan, Rangarajan, M. Eng. Massachusetts Institute of Technology
প্রকাশিত: (2007) -
A 4kb memory array for MRAM development
অনুযায়ী: Qazi, Masood
প্রকাশিত: (2008) -
Materials, processes, devices and applications of magnetoresistive random access memory
অনুযায়ী: Meiyin Yang, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2024-01-01) -
TPCSA-MRAM: Ternary Precharge Sense Amplifier-Based MRAM
অনুযায়ী: Mohammad Mahdi Mazaheri, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2024-01-01) -
Recent developments in spin transfer torque MRAM
অনুযায়ী: Sbiaa, Rachid, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2020)