Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) technology : current advancement and future development

Thesis: M. Eng., Massachusetts Institute of Technology, Department of Materials Science and Engineering, 2010

গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক: Lnu, Shimon.
অন্যান্য লেখক: Caroline A. Ross.
বিন্যাস: গবেষণাপত্র
ভাষা:eng
প্রকাশিত: Massachusetts Institute of Technology 2019
বিষয়গুলি:
অনলাইন ব্যবহার করুন:https://hdl.handle.net/1721.1/122861

অনুরূপ উপাদানগুলি