Impact of proton-induced transmutation doping in semiconductors for space applications

Impact of proton-induced transmutation doping in semiconductors for space applications

Critical satellite-based electronics can fail due to irradiation with Van Allen belt trapped protons. While nuclear-reaction-induced transmutation damage is typically ignored, a recent study raised the question of its potential importance in explaining anomalous trends in III-V nBn device operation....

Mô tả đầy đủ

Chi tiết về thư mục
Những tác giả chính:	Logan, Julie V., Short, Michael P, Webster, Preston T., Morath, Christian P., Steenbergen, Elizabeth H.
Tác giả khác:	Massachusetts Institute of Technology. Department of Nuclear Science and Engineering
Định dạng:	Bài viết
Ngôn ngữ:	English
Được phát hành:	Royal Society of Chemistry (RSC) 2020
Truy cập trực tuyến:	https://hdl.handle.net/1721.1/124428

Những quyển sách tương tự

Potential for neutron and proton transmutation doping of GaN and Ga 2 O 3
Bằng: Logan, Julie V, et al.
Được phát hành: (2021)

Understanding the fundamental driver of semiconductor radiation tolerance with experiment and theory
Bằng: Logan, Julie V, et al.
Được phát hành: (2023)

Orbital Equivalence of Terrestrial Radiation Tolerance Experiments
Bằng: Logan, Julie V, et al.
Được phát hành: (2021)

Transmutation.
Bằng: Tan, Siew Khim.
Được phát hành: (2012)

More accurate parameterization of positron implantation depth profiles for the sensitivity range of positron-based characterization techniques
Bằng: Logan, Julie V., et al.
Được phát hành: (2021)

More accurate parameterization of positron implantation depth profiles for the sensitivity range of positron-based characterization techniques
Bằng: Logan, JV, et al.
Được phát hành: (2021)

Anomaly mediation and dimensional transmutation
Bằng: Jones, D, et al.
Được phát hành: (2006)

Freakitsch flock : an illustrative transmutation
Bằng: Toh, Gillian Hui Ling
Được phát hành: (2014)

Transmutation and operator differential equations /
Bằng: Carroll, Robert Wayne, 1930-
Được phát hành: (1979)

The Sliding-Aperture Transform and Its Applicability to Deep-Level Transient Spectroscopy
Bằng: Buchwald, Walter R., et al.
Được phát hành: (2022)

Doping and switchable photovoltaic effect in lead-free perovskites enabled by metal cation transmutation
Bằng: Harikesh, Padinhare Cholakkal, et al.
Được phát hành: (2020)

Anyons and transmutation of statistics via a vacuum-induced Berry phase
Bằng: Serra, R, et al.
Được phát hành: (2004)

BCS as Foundation and Inspiration: The Transmutation of Symmetry
Bằng: Wilczek, Frank
Được phát hành: (2013)

Non-Neutron Transmutation of Spent Fuel
Bằng: Wickert, Charlotte I.
Được phát hành: (2024)

Lepton transmutation in the dualized standard model
Bằng: Bordes, J, et al.
Được phát hành: (2002)

Transmutation, scattering theory and special functions /
Bằng: Carroll, Robert Wayne, 1930-
Được phát hành: (1982)

A STUDY OF THE CR AND FE DEEP ACCEPTORS IN INP BY THE NUCLEAR-TRANSMUTATION BACK DOPING TECHNIQUE
Bằng: Fung, S, et al.
Được phát hành: (1985)

Open volume defect accumulation with irradiation in GaN, GaP, InAs, InP, Si, ZnO, and MgO
Bằng: Logan, JV, et al.
Được phát hành: (2024)

Target Design and Optimizations for Spent Fuel Transmutation
Bằng: Tukharyan, Grigor
Được phát hành: (2024)

Engineering statistical transmutation of identical quantum particles
Bằng: Barbarino, S, et al.
Được phát hành: (2019)

Positron annihilation lifetime spectroscopy: When is it feasible to decompose the spectrum?
Bằng: Logan, JV, et al.
Được phát hành: (2023)

A PWR Self- Contained Actinide Transmutation System
Bằng: Shatilla, Y., et al.
Được phát hành: (2012)

Electron teleportation and statistical transmutation in multiterminal Majorana islands
Bằng: Michaeli, Karen, et al.
Được phát hành: (2017)

Uncovering the fundamental driver of semiconductor radiation tolerance
Bằng: Logan, Julie V.
Được phát hành: (2022)

Optimization of actinide transmutation in innovative lead-cooled fast reactors
Bằng: Romano, Antonino, 1972-
Được phát hành: (2005)

Radiation damage and transmutation in tungsten-alloys for nuclear fusion applications
Bằng: Lloyd, MJ
Được phát hành: (2021)

Microstructural evolution and transmutation in tungsten under ion and neutron irradiation
Bằng: Lloyd, MJ, et al.
Được phát hành: (2023)

Doping of Organic Semiconductors
Bằng: Lüssem, B, et al.
Được phát hành: (2013)

Doping of organic semiconductors
Bằng: Lüssem, B, et al.
Được phát hành: (2013)

EFFECTS OF DOPING ON MECHANICAL PROPERTIES OF SEMICONDUCTORS.
Bằng: Hirsch, P, et al.
Được phát hành: (1986)

Transmutation of skyrmions to half-solitons driven by the nonlinear optical spin hall effect
Bằng: Flayac, H., et al.
Được phát hành: (2013)

Interaction of transmutation products with precipitates, dislocations and grain boundaries in neutron irradiated W
Bằng: Lloyd, MJ, et al.
Được phát hành: (2022)

Laser-driven photo-transmutation of 129I - A long-lived nuclear waste product
Bằng: Ledingham, K, et al.
Được phát hành: (2003)

A Conceptual Model to Support the Transmuters in Acquiring the Desired Knowledge of a Data Scientist
Bằng: Muhammad Javed Ramzan, et al.
Được phát hành: (2021)

Decoration of voids with rhenium and osmium transmutation products in neutron irradiated single crystal tungsten
Bằng: Lloyd, MJ, et al.
Được phát hành: (2019)

Decoration of Voids with Rhenium and Osmium Transmutation Products in Neutron Irradiated Single Crystal Tungsten - data
Bằng: Armstrong, D, et al.
Được phát hành: (2019)

Adduct-based p-doping of organic semiconductors
Bằng: Sakai, N, et al.
Được phát hành: (2021)

Space charge induced beam loss on a high intensity proton synchrotron
Bằng: Pine, B
Được phát hành: (2016)

Optical beam induced phenomena in semiconductors
Bằng: Pester, P
Được phát hành: (1988)

Erbium doped silicon as an optoelectronic semiconductor material
Bằng: Ren, Yong-Gang Frank
Được phát hành: (2007)