Ferroelectric memory field-effect transistors using CVD monolayer MoS2 as resistive switching channel

Ferroelectric memory field-effect transistors using CVD monolayer MoS2 as resistive switching channel

Ferroelectric field-effect transistors (FeFETs) have been considered as promising electrically switchable nonvolatile data storage elements due to their fast switching speed, programmable conductance, and high dynamic range for neuromorphic applications. Meanwhile, FeFETs can be aggressively shrunk...

Ամբողջական նկարագրություն

Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակներ: Shen, Pin-Chun, Lin, Chungwei, Wang, Haozhe, Teo, Koon Hoo, Kong, Jin Au
Այլ հեղինակներ: Massachusetts Institute of Technology. Department of Electrical Engineering and Computer Science
Ձևաչափ: Հոդված
Լեզու:English
Հրապարակվել է: AIP Publishing 2020
Առցանց հասանելիություն:https://hdl.handle.net/1721.1/125845

Նմանատիպ նյութեր

Նմանատիպ նյութեր