Relaxation effects in MOS devices due to tunnel exchange with near-interface oxide traps

Relaxation effects in MOS devices due to tunnel exchange with near-interface oxide traps

Thesis (Ph. D.)--Massachusetts Institute of Technology, Dept. of Electrical Engineering and Computer Science, 1992.

গ্রন্থ-পঞ্জীর বিবরন
প্রধান লেখক:	Tewksbury, Theodore L. (Theodore Locke)
অন্যান্য লেখক:	Hae-Seung Lee.
বিন্যাস:	গবেষণাপত্র
ভাষা:	eng
প্রকাশিত:	Massachusetts Institute of Technology 2008
বিষয়গুলি:	Electrical Engineering and Computer Science
অনলাইন ব্যবহার করুন:	http://dspace.mit.edu/handle/1721.1/13238 http://hdl.handle.net/1721.1/13238

অনুরূপ উপাদানগুলি

Integration of fluorographene trapping medium in MoS₂-based nonvolatile memory device
অনুযায়ী: Chang, Kai Ping, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2021)

Neutron Radiation Genereted Charges Trapped In Mos Devices
অনুযায়ী: Perpustakaan UGM, i-lib
প্রকাশিত: (2001)

Electronic and dielectric properties of a suboxide interlayer at the silicon-oxide interface in MOS devices
অনুযায়ী: Giustino, F, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2005)

Experimental modeling of body effects in MOS devices
অনুযায়ী: Seah, Lionel Siau Hing.
প্রকাশিত: (2008)

Effects of copper diffusion on the performance of MOS devices
অনুযায়ী: Tee, Kheng Chok.
প্রকাশিত: (2008)

Hybrid brain computer interface for relaxation management
অনুযায়ী: Ngian, Michelle Mei Xue
প্রকাশিত: (2017)

Separate evaluation of interface and oxide hole traps in SiO2/GaN MOS structures with below- and above-gap light excitation
অনুযায়ী: Takuma Kobayashi, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2023-01-01)

Modeling poly-silicon gate depletion in submicron MOS devices
অনুযায়ী: Li, James Chingwei, 1975-
প্রকাশিত: (2013)

Instabilities in MOS devices/
অনুযায়ী: 347389 Davis, J. R. (John Richard), 1951-
প্রকাশিত: (1981)

Advanced MOS devices/
অনুযায়ী: Schroder, Dieter K
প্রকাশিত: (1987)

Impact of Interface Traps on Direct and Alternating Current in Tunneling Field-Effect Transistors
অনুযায়ী: Zhi Jiang, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2015-01-01)

Tunneling electron trap /
অনুযায়ী: Tihiro Ohkawa
প্রকাশিত: (1997)

Relaxable Damage in Hot-Carrier Stressing of n-MOS Transistors
অনুযায়ী: M. Rahmoun, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2000-01-01)

Interface analysis of oxide free MoS2 films fabricated by solution process
অনুযায়ী: Md Iftekharul Alam, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2024-11-01)

Analytical and experimental characterization of sub-half micron MOS devices
অনুযায়ী: Chew, Johnny Kok Wai.
প্রকাশিত: (2008)

The Shoelace Antenna : a device to induce short-wavelength fluctuations in the edge plasma of the Alcator C-Mod Tokamak
অনুযায়ী: Golfinopoulos, Theodore
প্রকাশিত: (2014)

Are interface state generation and positive oxide charge trapping under negative-bias temperature stressing correlated or coupled?
অনুযায়ী: Ho, T. J. J., অন্যান্য
প্রকাশিত: (2013)

Influence of Si nanocrystal distributed in the gate oxide on the MOS capacitance
অনুযায়ী: Zhao, P., অন্যান্য
প্রকাশিত: (2010)

Surface potential shift in MoS2 due to adsorption of H2O
অনুযায়ী: Ganatra, Rudren
প্রকাশিত: (2015)

An optical-fiber interface to a trapped-ion quantum computer
অনুযায়ী: Kim, Tony Hyun
প্রকাশিত: (2013)

Ultrafast electronic relaxation dynamics of atomically thin MoS₂ is accelerated by wrinkling
অনুযায়ী: Xu, Ce, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2023)

Ultrafast Electron and Hole Relaxation Pathways in Few-Layer MoS2
অনুযায়ী: Nie, Zhaogang, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2015)

Impacts of post-deposition annealing on hole trap generation at SiO2/p-type GaN MOS interfaces
অনুযায়ী: Kazuki Tomigahara, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2024-01-01)

Influence of Si-nanocrystal distribution in the oxide on the charging behavior of MOS structures
অনুযায়ী: Tseng, Ampere A., অন্যান্য
প্রকাশিত: (2010)

OBSERVATION BY PHOTOCONDUCTIVITY OF STRAIN SPLITTING OF SHALLOW BULK DONORS LOCATED NEAR TO SURFACE IN SILICON MOS DEVICES
অনুযায়ী: Nicholas, R, অন্যান্য
প্রকাশিত: (1976)

Ultrasonic devices for trapping and transportation of medicine pills
অনুযায়ী: Ngern, Yen Lee.
প্রকাশিত: (2009)

TCAD simulation of tunnel FET devices
অনুযায়ী: Ang, Ming Hao
প্রকাশিত: (2009)

Relaxation process of self-trapping exciton in C60 /
অনুযায়ী: Sun, X., অন্যান্য
প্রকাশিত: (1995)

Memory devices using a mixture of MoS2 and graphene oxide as the active layer
অনুযায়ী: Yin, Zongyou, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2014)

Energy transfer driven brightening of MoS2 by ultrafast polariton relaxation in microcavity MoS2/hBN/WS2 heterostructures
অনুযায়ী: Hu, Zehua, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2024)

RELAXATION NEAR GLASS-TRANSITION SINGULARITIES
অনুযায়ী: Gotze, W
প্রকাশিত: (1993)

Studies of interface traps in GaN High-Electron-Mobility-Transistors (HEMTs)
অনুযায়ী: Phia, Chen Yew
প্রকাশিত: (2020)

Radiation, trapping and near-trapping in arrays of floating truncated cylinders
অনুযায়ী: Wolgamot, H, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2014)

Trap Assisted Tunneling and Its Effect on Subthreshold Swing of Tunnel FETs
অনুযায়ী: Sajjad, Redwan Noor, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2018)

Modern MOS technology : processes, devices, and design/
অনুযায়ী: 197562 Ong, Dewitt G.
প্রকাশিত: (1984)

Low-frequency noise in advanced MOS devices /
অনুযায়ী: 223100 Haartman, Martin von, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2007)

Charging effect on electrical characteristics of MOS structures with Si nanocrystal distribution in gate oxide
অনুযায়ী: Li, S., অন্যান্য
প্রকাশিত: (2010)

The effect of oxide thickness on current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristics of tunnel mos structures /
অনুযায়ী: 193265 Vithyaananthini Govindaraju, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2004)

Large spin relaxation rates in trapped submerged-shell atoms
অনুযায়ী: Connolly, Colin B., অন্যান্য
প্রকাশিত: (2010)

Charge trapping and retention behaviors of Ge nanocrystals distributed in the gate oxide near the gate synthesized by low-energy ion implantation
অনুযায়ী: Yang, Ming, অন্যান্য
প্রকাশিত: (2010)